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台积电宣告推出功能增强的7nm和5nm制作工艺

admin 2019-08-18 283人围观 ,发现0个评论

外媒报导称,台积电现已悄然推出了 7nm 深紫外(N7 / DUV)和 5nm 极紫外(N5 / EUV)制作工艺的功能增强版别。该公司的 N7P 和 N5P 技能,专为那些需台积电宣告推出功能增强的7nm和5nm制作工艺求运转更快、耗费更少电量的客户而规划。虽然 N7P 与 N7 的规划规矩相同,但新工艺优化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程,可在平等功率下将功能提高 7%、或在同频下下降 10% 的功耗。

(图自:TSMC,via AnandTech)

在日本举行的 2019 VLSI 研讨会上,台积电透露了哪些客户现已能够用上新工艺,但该公司好像并没有广而告之的主意。

据台积电宣告推出功能增强的7nm和5nm制作工艺悉,N7P 选用通过蜀山验证的深紫外(DUV)光刻技能。与 N7 比较,它没有添加晶体管的密度。

那台积电宣告推出功能增强的7nm和5nm制作工艺些需求高出约 18~20% 晶体管密度的 TSMC 客户,估计需求运用台积电的 N7+ 和 N6 工艺 —— 后者运用极紫外(EUV)光刻技能进行多层处理。

据悉,N7P 选用通过验证的深紫外(DUV)光刻技能。与 N7 比较,它没有添加晶体管的密度。

那些需求高出约 18~20% 晶体管密度的 TSMC 客户,估计需求运用台积电的 N7+ 和 N6 工艺 —— 后者运用极紫外(EUV)光刻技能进行多层处理。

最终,虽然 N7 和 N6 都是未来几年的“长”节点,但台积电会在下一个 N5 节点带来明显的密度、功耗和功能改善。

相同,N5 之后也会迎来一个叫做 N5P 的增强版别,辅以 FEOL 和 MOL 优化,以便让芯片在相同功率下提高 7% 的功能、或在同频下下降 15% 的功耗。

相同,N5 之后也会迎来一个叫做 N5P 的增强版别,辅以 FE台积电宣告推出功能增强的7nm和5nm制作工艺OL 和 MOL 优化,以便让芯片在相同功率下提高 7% 的功能、或在同频下下降 15% 的功耗。

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